В начало на лист изменений

                  

 

 МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФ­ФЕКТ,

 

изменение электрич. сопротив­ления тв. проводников под действием внеш. магн. поля Н. Различают по­перечный М. э., при к-ром электрич. ток I течёт перпендикулярно магн. полю Н, и продольный М. э. (I||Н).

 

стандартное объяснение:  сила Лоренца

 Причина М. э.— искривление тра­екторий носителей тока в магн. поле (см. Гальваномагнитные явления).

 

 От­носительное поперечное изменение со­противления (Dr/r)^ при комнатных темп-pax мало: у хороших металлов (Dr/r)^ ~ 10^-4 при Н ~ 10⁴ Э. Ис­ключение — Bi, у к-рого (Dr/r)^»2 при H=3•10⁴ Э. Это позволяет ис­пользовать его для измерения магн. поля (см. Магнитометр). У полу­проводников (Dr/r)^ ~10^-2—10 и су­щественно зависит от концентрации примесей и от темп-ры, напр. у до­статочно чистого Ge (Dr/r)^~3 при T=90 К и H=1,8•10⁴ Э.

Понижение темп-ры и увеличение Н приводит к увеличению (Dr/r)^.

 

П. Л. Капица в 1927, используя силь­ные магн. поля (в неск. сотен тысяч Э) при темп-ре жидкого азота, обнаружил у большого числа металлов и в ши­роком интервале полей линейную за­висимость (Dr/r)^ от Н (з а к о н  К а п и ц ы). В слабых полях (Dr/r)^ пропорц. Н². Коэфф. пропорциональ­ности обычно положителен, т. е. сопротивление растёт с увеличением магн. поля; исключение составляет ферромагнетики (см. Кондо эффект). Т. к. сопротивление чувствительно к кол-ву примесей и дефектов в крист. решётке, а также к темп-ре, то измерения (на определ. образце, при определ. темп-ре) могут приводить к разным зависимостям r от Н. Эксперим. данные для металлов удобно описывать, выразив (Dr/r) в виде ф-ции от H_эф=H(r₃₀₀/r),. где r₃₀₀— сопротивление данного металла при комнатной темп-ре (300 К) и H=0, а r — при темп-ре эксперимента и при H=0. При этом разл. данные, относящиеся к одному металлу, ук­ладываются на одну прямую (п р а в и л о  К о л е р а). Резкая анизо­тропия сопротивления в сильных магн. полях (у Au, Ag, Cu, Sn и др. небольшое изменение ориентации магн. поля может привести к изме­нению r иногда в 1000 раз)

 

означает анизотропию Ферми поверхности (не­большая анизотропия соответствует изотроп. поверхности Ферми). Если с ростом Н для всех направлений r не стремится к «насыщению» — не пе­рестаёт расти (Bi, As и др.), то эл-ны и дырки содержатся в проводнике в равном кол-ве. Стремление к насыще­нию означает преобладание носителей одного типа.

 

Ничего это не означает! Ни Лоренц, ни квантовая механика не при чем!!!

М. э. используется для исследова­ния электронного энергетич. спектра и механизма рассеяния носителей тока в проводниках, а также для измерения магн. полей.

• См. лит. при ст. Гальваномагнитные явления.

Э. М. Эпштейн.

 

 

Объяснения приведены в описаниях общей группы однотипных эффектов

 

 

Зеебека эффект	Термоэдс
Томсона темоэлектрический эффект	Градиент температур к Джоулю Ленцу
Нерста-Эттингхаузена эффект	Эдс при магнитном потоке в отсутствии тока
Эттингсгаузена (-Кернота) эффект.	Эдс при магнитном потоке в присутствии тока

 

 

 

 

Фатьянов А.В. Спб   октябрь 2009   Fatyalink@mail.ru

 

 

В начало на лист изменений